供应链涨价、上游单季扭亏 “风向标”存储器加速回暖？在上游存储原厂（颗粒供应商）的持续减产拉动下，存储市场涨价已经成为事实性趋势，产业链公司也在陆续摆脱亏损泥淖。
1月24日，SK海力士发布2023年第四季度财报显示，公司在此前连续四个季度亏损后，该财季迎来首次盈利至0.346万亿韩元，经营利润率至3.06%。
“现在不存在博弈，存储价格已经在涨。一些嵌入式内存产品的价格都快接近翻倍。”一名存储行业从业者对21世纪经济报道记者表示，只是他还有所顾虑，在全球消费趋势还没有明显改变环境下，这种涨幅能维持多久或许有待观察。“不过一季度肯定是在上涨，价格变动已经很明显。”
在半导体行业众多细分市场中，存储器由于占比较大，在2023年跌幅较多，也被多数第三方机构认为，会是拉动半导体行业复苏回升的主要驱动力之一。
不同于过去半年来存储器的涨价最初源自于上游原厂的减产拉动，目前随着AI相关应用加速普及，也将为存储市场带来进一步回温动力。
群智咨询（Sigmaintell）半导体事业部资深分析师王旭东对21世纪经济报道记者表示，历年来全球存储市场营收占全球半导体市场营收的比重达20%左右，“根据群智咨询测算，2023年存储市场营收占全球半导体营收比重约18%。存储在2023年受到价格下跌和库存调整的影响，经历了较大跌幅，2023年存储市场营收同比下降约35%。随着AI大模型兴起，对存储的传输速度、数据存储容量提出了更高要求，也带来对存储规格以及技术的升级，预计2024年全球存储市场营收同比增长约40%以上。”
多名业内人士都对记者分析，不同于此前几轮行业周期，本轮存储器市场的扭转，来自需求端的拉动力要小于上游原厂减产带来的效应，是通过减少供应来加速行业走向供求平衡。
“我们看到，一方面存储Fab（半导体制造）厂商如三星、SK海力士、美光持续亏损，对不同产品推出不同程度的减产，导致产能快速下降；另一方面目前终端厂商库存已经基本回落到健康状态、存储Fab厂库存周转天数也从最多时候300多天到现在100多天。所以目前基本供需走向平衡后，存储行业达到一定默契度，进而导致涨价。”前述从业者对记者分析道，目前的涨价是因为Fab厂对例如NAND Flash市场相关产品提出40%—50%的涨价，那么下游也因此要提出涨价动作，甚至还会面临拿不到货的情况，因为原厂前期减产在持续控制出货，因此行业此前还认为存在一定价格博弈，但目前涨价趋势已经比较明确。
第三方机构闪存市场分析认为，近期存储现货行情维持涨价趋势，资源涨价的传导效应在现货市场起到关键作用。鉴于现货NAND和DDR资源成本持续上涨，叠加倒挂压力令现货供应端纷纷调涨产品报价。
不过由于临近年关，现货市场成交氛围清淡，加上需求端已经提前做了基本的“春保”备货，近期市场有部分询单动作但成交颇为有限，市场流速季节性放缓，实际需求情况仍要等待节后才能明朗。
不过，存储器的复苏行情基本在逐渐开启。IDC亚太区研究总监郭俊丽对21世纪经济报道记者分析，在经历了行业周期的低迷期后，2024年半导体市场将开启新一轮复苏。存储芯片是半导体产业第二细分市场，自消费市场需求疲软以来，存储芯片成为最受冲击的细分领域之一，其复苏迹象在半导体行业也具有“风向标”意义。
“存储芯片在过去8个季度的低迷期衰退严重，价格连续暴跌。在供应商不断减产的作用下，直到2023年第四季度才开始有价格上涨。根据预测，运存DRAM方面，头部存储芯片厂商三星、美光正规划将DRAM价格在2024年一季度调涨15%—20%；闪存NAND Flash方面，预计2024年第一季度合约价将上涨15%—20%。到2024年底，存储的价格将上涨60%左右。同时由于AIGC、物联网、电动汽车的共同推动，存储芯片市场将会迎来新一轮增长，从而带动整个半导体市场的复苏。”她补充道。
涨价也体现在SK海力士的财报中。公告显示，第四季度公司DRAM产品部分每Bit出货环比增加低个位数百分比（约指1%—5%），ASP（平均售价）环比增长高双位数百分比（约指16%—19%）；NAND部分每Bit出货量环比减少低个位数百分比，ASP环比增长超过40%。
目前已经发布财报的上游存储厂商只有美光和SK海力士，前者还未实现单季盈利，SK海力士四季度只是微利，全年仍在亏损中。2023年SK海力士实现营收32.77万亿韩元，经营亏损7.73万亿韩元，经营利润率-24%。
王旭东告诉记者，存储价格在2024年将基本延续价格季度环比增长趋势。以8GB/LPDDR4X为例，2024年一季度行业价格环比增长约20%，2024年存储原厂扭亏为盈将指日可待。
SK海力士在财报中就指出，随着人工智能服务器和移动应用的需求增加，推动ASP上升。其主要产品DDR5和HBM3的销量分别较上年同期增长了4倍多和5倍以上；而在复苏相对缓慢的NAND领域，公司优先考虑精简投资和成本。
“SK海力士将继续大规模生产HBM3E（一种主要用在GPU中的AI内存产品），并正顺利开发HBM4，同时向服务器和移动市场提供高性能、DDR5和LPDDR5T等高容量产品，以满足对高性能DRAM日益增长的需求。”该公司在财报中表示。
“根据群智咨询调查分析，受AI大模型影响，HBM、DDR5、LPDDR5X等DRAM需求较旺盛，预计2024年主流DRAM原厂的平均稼动率将维持70%—80%之间，而NAND市场整体竞争较激烈，稼动率相对低一点。”王旭东对记者分析，从具体应用看，AI服务器端具有更明确的成长性，从OpenAI的ChatGPT，到国内的百度“文心一言”，以及各厂自建AI大模型，都需要用到AI服务器。当然随着5G、物联网等技术普及，AI PC、智能手机等智能终端也将助力存储器需求增长。
郭俊丽也对记者表示，目前比较确定成长性的终端是AI服务器。“据预测，2024年AI服务器的增速将超过30%。同时，2024年也将是AI PC元年，虽然目前量还比较少，但随着时间推移，将会带动更多存储芯片需求。此外，电动汽车一直保持增长势头，也会推动相关存储芯片增长。”
“我们的确很关注AI大模型需求可能会对存储产业带来的变化。”前述从业者告诉21世纪经济报道记者，AI是一个很大的概念，通常来说，运行一个端侧大模型、在不压缩模型的前提下，大约就需要耗费十多个GB，压缩后可能少一些，但这显然就会拉动运存DRAM需求增长；同时处理数据量变大，那么闪存NAND相关需求也就会提高。由此，就进一步对存储产品的性能、功耗提出要求；在云端和边缘端进行模型计算时，对数据安全也有更高要求——这将是一个更加综合性的能力考验。
也有从业者对记者表示，高密度存力需求、高通量的数据传输要求、对多种数据格式多协议的支持要求；同时海量数据需要研究新的存储架构、软件和算法，实现分层级存储等，是行业在关注的技术方向。
综合产业现状，王旭东对记者表示，展望2024年，包括智能手机、笔记本电脑等消费电子产品需求基本处于“温和复苏阶段”,但复苏力道相对有限。目前判断，2024年还是处于控产导致的价格上涨，预计端侧AI或者服务器AI对存储需求的大幅拉升更多体现在2025年及以后。另外，随着未来DRAM相关技术制程升级，以及LPDDR6、DDR6、HBM4等产品出现，会带来先进制程存储均价的上涨。
“2024年第二季度，随着下游需求的增长，存储芯片将会创造出更多实际需求，从而实现量价齐升乐鱼APP官方登录入口leyu。如果发展顺利，今年的第二季度将会是一个明显的行业回暖转折点。”郭俊丽对记者分析。